SEM掃描電鏡（Scanning Electron Microscope）與透射電鏡（Transmission Electron Microscope，TEM）在顯微成像領(lǐng)域都具有重要地位，但它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)介紹：

一、使用目的與成像原理

SEM掃描電鏡：

使用目的：主要用于觀察樣品表面的結(jié)構(gòu)特征，具有高分辨率、表面顯微形態(tài)和形貌的非破壞性檢測(cè)能力。

成像原理：利用高能電子束轟擊樣品表面，激發(fā)出次級(jí)電子和背散射電子等信號(hào)，這些信號(hào)被探測(cè)器捕獲并轉(zhuǎn)換成圖像。SEM的成像依賴于表面信號(hào)，因此特別適合觀察樣品的表面結(jié)構(gòu)和形貌。

TEM透射電鏡：

使用目的：主要用于觀察樣品的內(nèi)部精細(xì)結(jié)構(gòu)，如晶體結(jié)構(gòu)、形態(tài)和應(yīng)力狀態(tài)等，是材料科學(xué)和納米技術(shù)等領(lǐng)域的重要研究工具。

成像原理：利用高能電子束穿透樣品，通過電子在樣品中的透射和散射來形成圖像。TEM的成像依賴于電子在樣品內(nèi)部的傳播和衍射過程。

二、分辨率與放大倍數(shù)

SEM掃描電鏡：

分辨率通常在0.5~5nm之間，具體取決于電子束的聚焦能力和樣品表面的耗材程度。

放大倍數(shù)范圍寬，從十幾倍到幾十萬倍不等，幾乎包括了從放大鏡到光學(xué)顯微鏡的放大范圍。

TEM透射電鏡：

分辨率非常高，Z高可達(dá)到0.05nm以下，是SEM的數(shù)十倍甚至更多。

放大倍數(shù)也更高，通常可以達(dá)到幾萬到幾十萬倍，甚至更高。

三、樣品制備與要求

SEM掃描電鏡：

樣品制備相對(duì)簡(jiǎn)單，通常不需要將樣品切成薄片。

樣品尺寸可大至一定范圍（如120mm×80mm×50mm），且可以在樣品室中作三度空間的平移和旋轉(zhuǎn)，便于從各種角度觀察。

對(duì)于某些導(dǎo)電性差的樣品，可能需要鍍上一層導(dǎo)電材料以防止電荷積累。

TEM透射電鏡：

樣品制備復(fù)雜得多，通常需要將樣品切成非常薄的切片（通常小于100納米），以便電子束能夠穿透。

這通常需要使用超薄切片技術(shù)或離子束切割技術(shù)。

樣品可能還需要進(jìn)行特殊處理，如染色或冷凍，以提高對(duì)比度和穩(wěn)定性。

四、應(yīng)用領(lǐng)域與優(yōu)勢(shì)

SEM掃描電鏡：

廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、生物科學(xué)中的表面形貌分析、微觀結(jié)構(gòu)成像等方面。

具有景深大、成像直觀、立體感強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

可同時(shí)獲得形貌、結(jié)構(gòu)、成分和結(jié)晶學(xué)信息。

TEM透射電鏡：

主要用于物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和成分分析等方面。

在材料科學(xué)、物理化學(xué)、生物學(xué)等學(xué)科中發(fā)揮重要作用。

能夠提供樣品的晶體結(jié)構(gòu)、相變和缺陷等詳細(xì)信息。

綜上所述，SEM掃描電鏡與透射電鏡在多個(gè)方面存在顯著差異。SEM更適合觀察樣品的表面結(jié)構(gòu)和形貌，而TEM則擅長(zhǎng)于觀察樣品的內(nèi)部精細(xì)結(jié)構(gòu)。在選擇使用哪種電鏡時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的研究需求和樣品特點(diǎn)進(jìn)行綜合考慮。