在材料表征、納米技術(shù)及工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域，掃描電鏡以其高分辨率、大景深及多功能性成為核心工具。不同于光學(xué)顯微鏡的局限，SEM掃描電鏡通過(guò)電子束與樣品相互作用獲取信息，其測(cè)試模式覆蓋形貌觀察、成分分析到晶體學(xué)研究。本文將圍繞“掃描電鏡的測(cè)試模式”展開(kāi)，系統(tǒng)梳理主流技術(shù)類(lèi)型與應(yīng)用場(chǎng)景，助力用戶(hù)**選擇檢測(cè)方案。

一、二次電子成像（SEI）：表面形貌的“高清攝影師”

二次電子成像（Secondary Electron Imaging, SEI）是SEM掃描電鏡*基礎(chǔ)的測(cè)試模式。通過(guò)檢測(cè)樣品表面激發(fā)的二次電子信號(hào)，還原三維形貌細(xì)節(jié)。

技術(shù)原理：電子束轟擊樣品表面，激發(fā)低能二次電子，其產(chǎn)額與表面形貌密切相關(guān)。

核心優(yōu)勢(shì)：

分辨率可達(dá)納米級(jí)，清晰呈現(xiàn)表面凹凸、顆粒分布等細(xì)節(jié)。

適用于金屬、陶瓷、高分子等絕大多數(shù)固體材料。

典型應(yīng)用：材料斷口分析、納米結(jié)構(gòu)表征、薄膜粗糙度測(cè)量。

二、背散射電子成像（BSE）：成分差異的“透視眼”

背散射電子成像（Backscattered Electron Imaging, BSE）通過(guò)收集高能背散射電子信號(hào)，反映樣品成分或晶體取向差異。

工作原理：原子序數(shù)越高，背散射電子產(chǎn)額越大，成像亮度越高。

獨(dú)特價(jià)值：

區(qū)分多相材料（如合金、礦物）的成分分布。

識(shí)別晶體取向（結(jié)合電子通道效應(yīng)）。

應(yīng)用場(chǎng)景：金屬相分布分析、地質(zhì)樣品礦物鑒定、半導(dǎo)體摻雜研究。

三、能譜分析（EDS）：從形貌到成分的“一站式檢測(cè)”

能譜分析（Energy Dispersive Spectroscopy, EDS）是SEM的重要附加功能，通過(guò)X射線探測(cè)器實(shí)現(xiàn)元素定性定量分析。

技術(shù)亮點(diǎn)：

同步獲取形貌圖像與元素分布圖（面掃描/線掃描）。

檢測(cè)范圍覆蓋B-U元素，含量低至0.1%亦可識(shí)別。

典型案例：

合金元素偏析分析。

微電子器件污染源追蹤。

四、電子背散射衍射（EBSD）：晶體學(xué)的“納米地圖”

電子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction, EBSD）通過(guò)分析背散射電子的菊池衍射花樣，解析晶體取向與相分布。

核心功能：

繪制晶粒取向圖（Orientation Mapping）。

計(jì)算晶界特征、織構(gòu)強(qiáng)度及應(yīng)變分布。

應(yīng)用領(lǐng)域：

金屬材料力學(xué)性能預(yù)測(cè)。

地質(zhì)樣品變形機(jī)制研究。

五、電壓襯度成像（VCI）：電學(xué)性能的“可視化探測(cè)”

電壓襯度成像（Voltage Contrast Imaging, VCI）利用樣品電位差異導(dǎo)致的二次電子產(chǎn)額變化，實(shí)現(xiàn)電學(xué)性能表征。

技術(shù)原理：導(dǎo)電區(qū)域與絕緣區(qū)域的電子發(fā)射效率不同，形成明暗對(duì)比。

應(yīng)用場(chǎng)景：

半導(dǎo)體器件漏電路徑定位。

薄膜太陽(yáng)能電池缺陷檢測(cè)。